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LED倒裝cob光源的技術(shù)重點(diǎn)有哪些?

來(lái)源:LED倒裝cob光源  發(fā)布時(shí)間:2016-08-19   點(diǎn)擊量:1991

LED倒裝cob光源

      根據(jù)目前形式,倒裝COB技術(shù)的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。其具備較好的散熱能力,同時(shí)將固晶、焊線兩步整合為一步。LED倒裝COB光源具備更可靠、成本更低、光效更高等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)因其制造工藝復(fù)雜,其利潤(rùn)也較高。下面高飛捷科技就來(lái)為大家分析一下LED倒裝cob光源的重點(diǎn)技術(shù):


      1、芯片制造
      倒裝芯片的制造與一般芯片略有差異,倒裝芯片的整個(gè)P-GaN面全部被反光的金屬電極覆蓋,一般使用銀(Ag)作為主要反光材料,使用鎳(Ni)作為粘和材料。N-GaN面同樣覆相同材料,但是在P層和N層間的金屬需要做絕緣隔離。

      2、共晶焊接
      倒裝芯片與基板之間的結(jié)合使用共晶焊接,一般是先在芯片的表面濺射金錫合金Au-Sn。然后可直接購(gòu)買已經(jīng)電鍍好金錫合金鍍層的基板,使用共晶焊接的方式將芯片與基板焊接在一起。

      3、背出光效率

      倒裝芯片使用正面反光,反面出光。光從量子井發(fā)出后要經(jīng)過(guò)N型氮化鎵、藍(lán)寶石后才能到空氣中。氮化鎵折射率約為2.4,藍(lán)寶石折射率約為1.8,熒光粉折射率為1.7,硅膠折射率通常為1.4-1.5,空氣為1。光從高折射率物質(zhì)向低折射率物質(zhì)運(yùn)動(dòng)時(shí),在穿過(guò)物質(zhì)結(jié)合面時(shí)會(huì)發(fā)生全反射,導(dǎo)致光在物質(zhì)內(nèi)部被消耗掉,使出光量降低。因此在設(shè)計(jì)倒裝cob芯片時(shí)一定要對(duì)出光路徑進(jìn)行設(shè)計(jì),以便光可以更容易到達(dá)空氣中。


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